新電元工業、SiC-MOSFETのサンプル出荷開始

新電元工業は、既にサンプル出荷しているSiC-SBDに続き、車載用途にも対応可能なSiC-MOSFETのサンプル出荷を開始します。車載機器、産業機器、民生機器における電源用途では、省エネルギー化の観点から、より高効率・低損失なデバイスが求められています。そのため、従来のシリコンMOSFETから、高速動作が可能なSiC-MOSFETへの置き換えが進んでいます。

一方で、SiC-MOSFETには、ゲート保証電圧範囲の狭さや、高温時におけるオン抵抗（Ron）の上昇による導通損失の増加といった課題もあります。

こうしたニーズと課題に対応するため、新電元工業では、車載用途にも展開可能な650V、750V、1,200V耐圧のSiC-MOSFETを開発しています。パッケージは、TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-7pをご用意しました。特にTO-247-4LおよびTO-263-7pは、SiC-MOSFETの性能を最大限に引き出すケルビンソース端子構造を採用しています。

主な特長は以下の通りです：

• 広いゲート保証電圧範囲により回路設計のしやすさが向上


• 高温時におけるRonの上昇抑制による導通損失の低減

これにより、お客様の設計負担軽減に貢献します。また、本製品はAEC-Q101準拠を予定しており、車載製品への搭載も可能です。

今後も、大電流対応のパワーMOSFETラインアップを拡充し、市場の多様なニーズに応えてまいります。